Оптопара ONSEMI H11G2M — это транзисторная оптопара в корпусе DIP6 с выходом Дарлингтона. Комплект состоит из 30 штук для монтажа на плату (THT).
- Количество в комплекте: 30 шт.
- Корпус: DIP6, монтаж THT
- Напряжение изоляции: 4,17 кВ
- Напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Тип выхода: Дарлингтон
- CTR: 100% при 10 мА
Электрические параметры
Оптопара имеет напряжение изоляции 4,17 кВ и напряжение коллектор-эмиттер 80 В. Коэффициент передачи тока (CTR) составляет 100% при токе 10 мА. Выходной транзистор выполнен по схеме Дарлингтона.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DIP6 с выводами для установки в отверстия (THT). Устройство является одноканальной оптопарой (фототранзисторной).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Количество каналов | 1 |
| Корпус | DIP6 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение изоляции | 4,17kV |
| Состояние | Новое |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴

